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三星再次侵占先机宣布已开始送样20nm制程MLCNAND闪存芯片

发布时间:2020-03-23 12:46:14 阅读: 来源:珠光粉厂家

三星公司最近宣布已开始向部份客户送样内部集成有20nm制程MLCNAND闪存芯片的内存卡产品,在与Intel--镁光同盟的NAND闪存制程大战中占到了先机,Intel与镁光合资的IMFlash公司今年二月份曾 抢先宣布开始送样25nm制程的8GB(64Gbit)NAND闪存芯片产品,不过他们需要到今年第二季度才可以开始生产20nm制程NAND闪存芯片。

三星公司存储产品分部的总裁 Soo-In Chong自豪地表示:“在我们的30nm制程NAND闪存芯片产品开始生产后仅一年时间,三星便推出了基于20nm制程的NAND闪存芯片产品。”三星是从去年三月份开始生产30nm制程 32Gb NAND闪存芯片产品的。三星这次推出的20nm制程8GB闪存卡产品的写入速度可达10MB/s,比上一代30nm制程8GB产品的写入速度提升了30%左右;读取速度则提升到了20MB/s。三星表示将使用新款20nm制程芯片制作容量在4GB-64GB之间的内存卡产品。相比之下,IMFlash公司的25nm制程64Gbit NAND闪存芯片面积为167平方毫米,采取TSOP封装情势。32GB容量的NAND闪存芯片可用于制造256GB容量的SSD硬盘产品,而闪存容量为32GB的智能手机则只需要4片8GB容量的NAND闪存芯片,16GB容量的闪存卡则只需要两块这样的芯片。据iSuppli市调公司的报告显示,去年第三季度,Intel在全球NAND闪存市场所占的市占率为6.1%,镁光则占7.7%, Numonyx (已被镁光收购)公司则占2.3%,海力士公司占10%,东芝和三星则是NAND闪存市场的领头羊,其市占率分别为34%和39%。CNBeta编译原文:electronicsweekly

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